总投资70亿美元三星加速西安NAND闪存工厂建设

作者：haixia002 日期：2019-10-14 15:24:04 浏览：23542 分类：品牌档案

　　韩媒报道称三星计划将明年的存储芯片开支增加到65亿美元，额外增加的资金主要用于建设位于中国西安的闪存工厂二期工程。在西安，三星2014年投资70亿美元建设了第一期闪存工厂，主要生产第一代V-NAND闪存芯片。2017年，三星与西安政府签署了新的协议，将在2020年之前再次投资70亿美元建设第二座闪存工厂。

　　不过2017年的时候闪存市场还是牛市，价格上涨了一年多了，在2018年、2019年闪存价格接连下滑之后，三星建设西安工厂的速度也慢下来了。现在加速建设新工厂，实际上也是因为闪存市场即将迎来拐点，2020年普遍被看好，三星大举建设新工厂，有助于抢占更高的份额。（快科技）